Name: IPB019N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB019N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 99.8129 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPB019N08NF2SATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPB019N08NF2SATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPB019N08NF2SATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPB019N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB019N08NF2SATMA1
Popis	TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 166A (Tc) 250W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB019N08NF2SATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	StrongIRFET™ 2
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	166A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,95mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 194µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8700 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	250W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB019N

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
800	29,12295 Kč	23 298,36 Kč
1 600	28,27152 Kč	45 234,43 Kč

Jednotková cena bez DPH:	82,49000 Kč
Jednotková cena s DPH:	99,81290 Kč

IPB019N08NF2SATMA1