Name: IPB019N08N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB019N08N3GATMA1TR-ND
Price: 103.8422 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPB019N08N3GATMA1
cms-digikey-product-number	IPB019N08N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB019N08N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB019N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPB019N08N3GATMA1
cms-description	MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
cms-standard-lead-time	16 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list
cms-eda-cad-models	IPB019N08N3GATMA1 Modely

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,9mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 270µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	14200 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Základní číslo produktu	IPB019

Jednotková cena bez DPH:	85,82000 Kč
Jednotková cena s DPH:	103,84220 Kč

IPB019N08N3GATMA1