Name: IPB019N08N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB019N08N3GATMA1TR-ND
Price: 169.4726 CZK
Availability: InStock

IPB019N08N3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB019N08N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB019N08N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB019N08N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB019N08N3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB019N08N3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,9mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 270µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	14200 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Základní číslo produktu	IPB019

Jednotková cena bez DPH:	140,06000 Kč
Jednotková cena s DPH:	169,47260 Kč

IPB019N08N3GATMA1