


IPAW60R180P7SXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IPAW60R180P7SXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPAW60R180P7SXKSA1 |
Popis | MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 18A (Tc) 26W (Tc) Průchozí otvor Plná výzbroj PG-TO220 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IPAW60R180P7SXKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 280µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 25 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1081 pF @ 400 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 26W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra Plná výzbroj PG-TO220 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 180mOhm při 5,6A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 3 138 | 448-IPA60R180P7SXKSA1-ND | 61,11000 Kč | MFR Recommended |
| IXFP22N65X2M | IXYS | 273 | IXFP22N65X2M-ND | 146,41000 Kč | Similar |
| R6020ENX | Rohm Semiconductor | 242 | R6020ENX-ND | 99,48000 Kč | Similar |
| STFU28N65M2 | STMicroelectronics | 184 | 497-16307-5-ND | 86,13000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 60,69000 Kč | 60,69 Kč |
| 10 | 38,91600 Kč | 389,16 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 60,69000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 73,43490 Kč |










