IPA60R460CEXKSA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IPA60R460CEXKSA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Infineon Technologies

Skladem : 0

Jednotková cena : 44,10000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 257

Jednotková cena : 56,06000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPA60R460CEXKSA1
Číslo produktu DigiKey	IPA60R460CEXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPA60R460CEXKSA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 9,1A (Tc) 30W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-FP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,5V při 280µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 28 nC @ 10 V
Řada CoolMOS™ CE	Vgs (max) ±20V
Balení Trubice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 620 pF @ 100 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 30W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-FP
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9,1A (Tc)	Pouzdro Plná výzbroj TO-220-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPA60R460
Rds zap (max) při Id, Vgs 460mOhm při 3,4A, 10V