Name: IMZC120R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R007M2HXKSA1-ND
Price: 1197.4039 CZK
Availability: InStock

N-kanál 1200 V 201A (Tc) 711W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-17

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMZC120R007M2HXKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMZC120R007M2HXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMZC120R007M2HXKSA1
Popis	SIC DISCRETE
Standardní dodací lhůta výrobce	54 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 201A (Tc) 711W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-17
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 7,5mOhm při 93A, 18V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 5,1V při 29,1mA
Řada CoolSiC™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 176 nC @ 18 V
Balení Trubice	Vgs (max) +23V, -7V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6570 pF @ 800 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 711W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 201A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-4-17
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V	Pouzdro TO-247-4

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 102

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	989,59000 Kč	989,59 Kč
30	657,88667 Kč	19 736,60 Kč
120	585,49033 Kč	70 258,84 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.