
IMZA75R008M1HXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Popis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-U02 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IMZA75R008M1HXKSA1 Modely |
Kategorie | Rds zap (max) při Id, Vgs 7,2mOhm při 90,3A, 20V |
Mfr | Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 32,4mA |
Řada | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 178 nC @ 500 V |
Balení Trubice | Vgs (max) +23V, -5V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6137 pF @ 500 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 517W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 750 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-4-U02 |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V | Pouzdro |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 912,22000 Kč | 912,22 Kč |
| 30 | 602,18867 Kč | 18 065,66 Kč |
| 120 | 534,49000 Kč | 64 138,80 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 912,22000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 1 103,78620 Kč |


