Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
IMZA75R008M1HXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Popis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-U02 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IMZA75R008M1HXKSA1 Modely |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Není určeno pro nové konstrukce | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 750 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 15V, 20V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 7,2mOhm při 90,3A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5,6V při 32,4mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 178 nC @ 500 V | |
Vgs (max) | +23V, -5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 6137 pF @ 500 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 517W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-TO247-4-U02 | |
Pouzdro |
0 Skladem
Požádat o sdělení stavu zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 734,72000 Kč | 734,72 Kč |
| 30 | 485,03967 Kč | 14 551,19 Kč |
| 120 | 481,07467 Kč | 57 728,96 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 734,72000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 889,01120 Kč |
Může vás též zajímat
1 Položky
Česká republika