N-kanál 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-U02
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMZA75R008M1HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMZA75R008M1HXKSA1
Popis
SILICON CARBIDE MOSFET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-U02
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IMZA75R008M1HXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
7,2mOhm při 90,3A, 20V
Mfr
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 32,4mA
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
178 nC @ 500 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
+23V, -5V
Stav součásti
Není určeno pro nové konstrukce
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
6137 pF @ 500 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
517W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
750 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-4-U02
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 20V
Pouzdro
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 240
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Není doporučeno pro nové konstrukční řešení, mohou platit minimální množství.
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1912,22000 Kč912,22 Kč
30602,18867 Kč18 065,66 Kč
120534,49000 Kč64 138,80 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:912,22000 Kč
Jednotková cena s DPH:1 103,78620 Kč