Name: IMZA120R022M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Price: 392.2457 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMZA120R022M2HXKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMZA120R022M2HXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMZA120R022M2HXKSA1
Popis	IMZA120R022M2HXKSA1
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	29mOhm při 32A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5,1V při 10,1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	71 nC @ 18 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2330 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	329W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO247-4-8
Pouzdro	TO-247-4

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 199

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	324,17000 Kč	324,17 Kč
30	199,51900 Kč	5 985,57 Kč
120	176,72525 Kč	21 207,03 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.