Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
IMW65R030M1HXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMW65R030M1HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMW65R030M1HXKSA1 |
Popis | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 58A (Tc) 197W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-41 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IMW65R030M1HXKSA1 Modely |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Není určeno pro nové konstrukce | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 18V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 42mOhm při 29,5A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5,7V při 8,8mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 48 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +20V, -2V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1643 pF @ 400 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 197W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-TO247-3-41 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Skladem: 275
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 256,81000 Kč | 256,81 Kč |
| 30 | 154,96533 Kč | 4 648,96 Kč |
| 120 | 132,64783 Kč | 15 917,74 Kč |
| 510 | 130,81508 Kč | 66 715,69 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 256,81000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 310,74010 Kč |
Přidružený produktZobrazit vše
4 Položky
Může vás též zajímat
1 Položky
Česká republika