IPW65R099CFD7AXKSA1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMW65R027M1HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMW65R027M1HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMW65R027M1HXKSA1
Popis
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Standardní dodací lhůta výrobce
23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 47A (Tc) 189W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-41
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IMW65R027M1HXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
34mOhm při 38,3A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,7V při 11mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2131 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
189W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-3-41
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 016
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1267,97000 Kč267,97 Kč
30162,29567 Kč4 868,87 Kč
120139,12825 Kč16 695,39 Kč
510138,18541 Kč70 474,56 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:267,97000 Kč
Jednotková cena s DPH:324,24370 Kč