IMW120R090M1HXKSA1 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

IMZ120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
Skladem : 379
Jednotková cena : 16,05000 Kč
Katalogový list

Similar

SCT30N120
STMicroelectronics
Skladem : 290
Jednotková cena : 37,56000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
IPW65R099CFD7AXKSA1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMW120R090M1HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
IMW120R090M1HXKSA1-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IMW120R090M1HXKSA1
Popis
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-41
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IMW120R090M1HXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolSiC™
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
26A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
117mOhm při 8,5A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,7V při 3,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
707 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
115W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-3-41
Pouzdro
TO-247-3
Základní číslo produktu
IMW120
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1171,64000 Kč171,64 Kč
3095,22767 Kč2 856,83 Kč
12084,44308 Kč10 133,17 Kč
51079,48278 Kč40 536,22 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:171,64000 Kč
Jednotková cena s DPH:207,68440 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
4 Položky
1ED3125MU12FXUMA1

1ED3125MU12FXUMA1

DIGITAL ISO 3KV 1CH GT DVR DSO8

Infineon Technologies

40,20000 Kč
1ED3124MC12HXUMA1

1ED3124MC12HXUMA1

DIGITAL ISO 8KV 1CH GT DVR DSO8

Infineon Technologies

49,58000 Kč
1ED3491MC12MXUMA1

1ED3491MC12MXUMA1

DGT ISO 5.7KV 1CH GT DVR DSO16

Infineon Technologies

117,27000 Kč
1ED3241MC12HXUMA1

1ED3241MC12HXUMA1

DGT ISO 5.7KV 1CH GT DVR DSO8-66

Infineon Technologies

51,87000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
7 Položky
C4D08120A

C4D08120A

DIODE SIL CARB 1200V 24.5A TO220

Wolfspeed, Inc.

172,47000 Kč
IMW120R060M1HXKSA1

IMW120R060M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3

Infineon Technologies

186,85000 Kč
IMZC120R078M2HXKSA1

IMZC120R078M2HXKSA1

SICFET N-CH 1200V 28A TO247

Infineon Technologies

167,68000 Kč
G3R350MT12D

G3R350MT12D

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

GeneSiC Semiconductor

98,73000 Kč
AFC0712DD-TP10

AFC0712DD-TP10

FAN AXIAL 70X20MM 12VDC WIRE

Delta Electronics

181,85000 Kč
IMW120R220M1HXKSA1

IMW120R220M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3

Infineon Technologies

130,19000 Kč
IMW120R140M1HXKSA1

IMW120R140M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3

Infineon Technologies

148,52000 Kč