Name: IMW120R030M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R030M1HXKSA1-ND
Price: 434.2206 CZK
Availability: OutOfStock

IMW120R030M1HXKSA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMW120R030M1HXKSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMW120R030M1HXKSA1
Popis	SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-41
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMW120R030M1HXKSA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	56A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	40mOhm při 25A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5,7V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2120 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	227W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO247-3-41
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	IMW120

Jednotková cena bez DPH:	358,86000 Kč
Jednotková cena s DPH:	434,22060 Kč

IMW120R030M1HXKSA1