
IMT65R075M2HXUMA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMT65R075M2HXUMA1 |
Popis | SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 61 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 2,4mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 14.9 nC @ 18 V |
Řada | Vgs (max) +25V, -10V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 516 pF @ 400 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 178W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Montáž na povrch |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOF-8 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 95mOhm při 11,9A, 18V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 148,04000 Kč | 148,04 Kč |
| 10 | 98,77500 Kč | 987,75 Kč |
| 100 | 70,90390 Kč | 7 090,39 Kč |
| 500 | 59,01950 Kč | 29 509,75 Kč |
| 1 000 | 55,20458 Kč | 55 204,58 Kč |
| 2 000 | 51,99913 Kč | 103 998,26 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 148,04000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 179,12840 Kč |


