Name: IMCQ120R053M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R053M2HXTMA1TR-ND
Price: 228.4722 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMCQ120R053M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMCQ120R053M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMCQ120R053M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMCQ120R053M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMCQ120R053M2HXTMA1
Popis	MOSFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 43A (Tc) 234W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMCQ120R053M2HXTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	43A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	52,6mOhm při 13,2A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5,1V při 4,1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	32.8 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1270 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	234W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HDSOP-22-3
Pouzdro	Modul 22-PowerBSOP