N-kanál 650 V 41A (Tc) 172W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMBG65R050M2HXTMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMBG65R050M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IMBG65R050M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IMBG65R050M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMBG65R050M2HXTMA1
Popis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 41A (Tc) 172W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs
62mOhm při 18,2A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 3,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
22 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
790 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
172W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-7-12
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 397
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1167,77000 Kč167,77 Kč
10113,64100 Kč1 136,41 Kč
10083,00930 Kč8 300,93 Kč
50080,39756 Kč40 198,78 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00065,77938 Kč65 779,38 Kč
2 00065,68437 Kč131 368,74 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:167,77000 Kč
Jednotková cena s DPH:203,00170 Kč