Name: IMBG120R026M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND
Price: 409.5608 CZK
Availability: InStock

N-kanál 1200 V 75A (Tc) 335W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMBG120R026M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMBG120R026M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMBG120R026M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMBG120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMBG120R026M2HXTMA1
Popis	SICFET N-CH 1200V 75A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	69 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 75A (Tc) 335W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5,1V při 8,6mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 60 nC @ 18 V
Řada CoolSiC™ G2	Vgs (max) +23V, -10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1990 pF @ 800 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 335W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-7-12
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 75A (Tc)	Pouzdro TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V	Základní číslo produktu IMBG120R026
Rds zap (max) při Id, Vgs 25,4mOhm při 27,3A, 18V