PG-TO263-7-12
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R012M2HXTMA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMBG120R012M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-IMBG120R012M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-IMBG120R012M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMBG120R012M2HXTMA1
Popis
SICFET N-CH 1200V 144A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 144A (Tc) 600W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7-12
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
12,2mOhm při 56,7A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,1V při 17,8mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
124 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4050 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
600W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-7-12
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 820
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1503,73000 Kč503,73 Kč
10365,72300 Kč3 657,23 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 000298,80159 Kč298 801,59 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:503,73000 Kč
Jednotková cena s DPH:609,51330 Kč