Name: IGD70R200D2SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGD70R200D2SAUMA1TR-ND
Price: 57.1725 CZK
Availability: InStock

IGD70R200D2SAUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGD70R200D2SAUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGD70R200D2SAUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGD70R200D2SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGD70R200D2SAUMA1
Popis	GANFET N-CH 700V 7.3A T0252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 700 V 7,3A (Tc) 21W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3-U03
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™ G5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,3A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	-
Rds zap (max) při Id, Vgs	240mOhm při 2,1A
Vgs(th) (max) při Id	1,6V při 710µA
Vgs (max)	-10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	91 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	21W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3-U03
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 500	13,65475 Kč	34 136,88 Kč
5 000	12,96366 Kč	64 818,30 Kč

Jednotková cena bez DPH:	47,25000 Kč
Jednotková cena s DPH:	57,17250 Kč

IGD70R200D2SAUMA1