Name: IGB50N65S5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGB50N65S5ATMA1TR-ND
Price: 109.7591 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IGB50N65S5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IGB50N65S5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IGB50N65S5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IGB50N65S5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGB50N65S5ATMA1
Popis	IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT Trench Zarážka signálu 650 V 80 A 270 W Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGB50N65S5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Jednoduché tranzistory IGBT	Spínací energie 1,23mJ (zap.), 740µJ (vyp.)
Výrobce Infineon Technologies	Typ vstupu Standardní
Řada TRENCHSTOP™ 5	Náboj hradla 120 nC
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Td (zap/vyp) při 25°C 20ns/139ns
Stav součásti Aktivní	Zkušební podmínka 400V, 50A, 8,2Ohm, 15V
Typ tranzistoru IGBT Trench Zarážka signálu	Provozní teplota -40°C ~ 175°C (TJ)
Průrazné napětí kolektor - emitor (max) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Proud kolektoru (Ic) (max) 80 A	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Pulzní proud kolektoru (Icm) 200 A	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3
Vce(zap) (max) při Vge, Ic 1,7V při 15V, 50A	Základní číslo produktu IGB50
Výkon - max 270 W

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 3 968

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)