Name: IFS100B12N3E4B31BOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IFS100B12N3E4B31BOSA1-ND
Price: 3155.1113 CZK
Availability: InStock

IGBT modul Trench Zarážka signálu Celý můstek 1200 V 200 A 515 W Montáž na šasi Modul

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IFS100B12N3E4B31BOSA1
Číslo produktu DigiKey	IFS100B12N3E4B31BOSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IFS100B12N3E4B31BOSA1
Popis	IGBT MOD 1200V 200A 515W MOD
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT modul Trench Zarážka signálu Celý můstek 1200 V 200 A 515 W Montáž na šasi Modul
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Moduly IGBT	Vce(zap) (max) při Vge, Ic 2,1V při 15V, 100A
Výrobce Infineon Technologies	Zbytkový proud kolektoru (max) 1 mA
Řada MIPAQ™	Vstupní kapacita (Cies) při Vce 6.3 nF @ 25 V
Balení Nosič	Vstup Standardní
Stav součásti Aktivní	Termistor NTC Ano
Typ tranzistoru IGBT Trench Zarážka signálu	Provozní teplota -40°C ~ 150°C
Konfigurace Celý můstek	Způsob montáže Montáž na šasi
Průrazné napětí kolektor - emitor (max) 1200 V	Pouzdro Modul
Proud kolektoru (Ic) (max) 200 A	Dodávaná velikost pouzdra Modul
Výkon - max 515 W	Základní číslo produktu IFS100

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 30

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	2 607,53000 Kč	2 607,53 Kč
10	2 053,14200 Kč	20 531,42 Kč
100	1 755,75620 Kč	175 575,62 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.