Dioda 650 V 4A Průchozí otvor PG-TO220-2-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IDH04G65C5XKSA2

Číslo produktu DigiKey
IDH04G65C5XKSA2-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IDH04G65C5XKSA2
Popis
DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Dioda 650 V 4A Průchozí otvor PG-TO220-2-1
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
CoolSiC™+
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)
650 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)
4A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If
1.7 V @ 4 A
Rychlost
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)
0 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr
70 µA @ 650 V
Kapacita při Vr, F
130pF při 1V, 1MHz
Způsob montáže
Průchozí otvor
Pouzdro
TO-220-2
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO220-2-1
Provozní teplota - přechod
-55°C ~ 175°C
Základní číslo produktu
IDH04G65
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 639
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
148,51000 Kč48,51 Kč
5023,65220 Kč1 182,61 Kč
10021,22690 Kč2 122,69 Kč
50016,96890 Kč8 484,45 Kč
1 00015,59983 Kč15 599,83 Kč
2 00014,44883 Kč28 897,66 Kč
5 00013,47572 Kč67 378,60 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:48,51000 Kč
Jednotková cena s DPH:58,69710 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
IDH04G65C6XKSA1

IDH04G65C6XKSA1

DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220

Infineon Technologies

52,29000 Kč