Name: IAUTN15S6N025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND
Price: 227.9035 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUTN15S6N025ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUTN15S6N025ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUTN15S6N025ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUTN15S6N025ATMA1
Popis	MOSFET_(120V 300V)
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 245A (Tj) 357W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUTN15S6N025ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 270µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 139 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 6 Power-Transistor	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9900 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 357W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 245A (Tj)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOF-8-1
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,5mOhm při 100A, 10V	Pouzdro 8-PowerSFN

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 591

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®