Name: IAUTN15S6N025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND
Price: 193.3459 CZK
Availability: InStock

IAUTN15S6N025ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUTN15S6N025ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUTN15S6N025ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUTN15S6N025ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUTN15S6N025ATMA1
Popis	MOSFET_(120V 300V)
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 245A (Tj) 357W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUTN15S6N025ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 6 Power-Transistor
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	245A (Tj)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,5mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 270µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	139 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9900 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	357W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-1
Pouzdro	8-PowerSFN

Jednotková cena bez DPH:	159,79000 Kč
Jednotková cena s DPH:	193,34590 Kč

IAUTN15S6N025ATMA1