Name: IAUT150N10S5N035ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT150N10S5N035ATMA1TR-ND
Price: 86.3456 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUT150N10S5N035ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IAUT150N10S5N035ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IAUT150N10S5N035ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IAUT150N10S5N035ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUT150N10S5N035ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 150A (Tc) 166W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUT150N10S5N035ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	150A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,5mOhm při 75A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 110µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6110 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	166W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-1
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	IAUT150