Name: IAUS300N10S5N014ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUS300N10S5N014ATMA1TR-ND
Price: 209.1969 CZK
Availability: InStock

N-kanál 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-8-1

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUS300N10S5N014ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUS300N10S5N014ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUS300N10S5N014ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUS300N10S5N014ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUS300N10S5N014ATMA1
Popis	MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUS300N10S5N014ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,8V při 275µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 216 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 16011 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 375W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 360A (Tj)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOG-8-1
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,4mOhm při 100A, 10V	Pouzdro 8-PowerSMD, Přívod tvaru L