Name: IAUS165N08S5N029ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS165N08S5N029ATMA1TR-ND
Price: 129.4579 CZK
Availability: InStock

N-kanál 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-8-1

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUS165N08S5N029ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IAUS165N08S5N029ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IAUS165N08S5N029ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IAUS165N08S5N029ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUS165N08S5N029ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUS165N08S5N029ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 90 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6370 pF @ 40 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 167W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 165A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOG-8-1
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Pouzdro 8-PowerSMD, Přívod tvaru L
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,9mOhm při 80A, 10V	Základní číslo produktu IAUS165
Vgs(th) (max) při Id 3,8V při 108µA