Name: IAUCN04S7N054HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7N054HATMA1TR-ND
Price: 56.7732 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUCN04S7N054HATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN04S7N054HATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN04S7N054HATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN04S7N054HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN04S7N054HATMA1
Popis	MOSFET_(20V 40V)
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 62A (Tj) 40W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-57
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 10µA
Výrobce Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 12nC při 10V
Řada OptiMOS™ 7	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 798pF při 20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 40W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 62A (Tj)	Pouzdro 8-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 5,41mOhm při 30A, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TDSON-8-57

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 5 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®