Name: IAUCN04S7N019DATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7N019DATMA1TR-ND
Price: 68.5586 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUCN04S7N019DATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUCN04S7N019DATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUCN04S7N019DATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUCN04S7N019DATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUCN04S7N019DATMA1
Popis	MOSFET_(20V 40V)
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 160A (Tj) 96W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-60
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IAUCN04S7N019DATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	160A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,99mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 35µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	48nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3273pF při 20V
Výkon - max	96W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TDSON-8-60