Name: GS0650306LLTRXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650306LLTRXUMA1TR-ND
Price: 110.34758 CZK
Availability: OutOfStock

GS0650306LLTRXUMA1 je k dispozici pro nákup, avšak není běžně skladem.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

IGT65R045D2ATMA1

Infineon Technologies

Skladem : 1 890

Jednotková cena : 166,85000 Kč

Katalogový list

Zobrazit a porovnat všechny náhrady

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GS0650306LLTRXUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-GS0650306LLTRXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	GS0650306LLTRXUMA1
Popis	GAN POWER TRANSISTOR
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 700 V 40A (Tc) Montáž na povrch TOLL
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	700 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V
Rds zap (max) při Id, Vgs	58mOhm při 5,5A, 6V
Vgs(th) (max) při Id	2,6V při 7,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6.7 nC @ 6 V
Vgs (max)	+7V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	235 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	-
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TOLL
Pouzdro	8-PowerSFN