FS45MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FS45MR12W1M1B11BOMA1
Číslo produktu DigiKey	FS45MR12W1M1B11BOMA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	FS45MR12W1M1B11BOMA1
Popis	MOSFET 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 25A (Tj) Montáž na šasi AG-EASY1BM-2
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™+
Balení	Nosič
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	6 N-kanálový (3fázový můstek)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	25A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs	45mOhm při 25A, 15V (typ.)
Vgs(th) (max) při Id	5,55V při 10mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	62nC při 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1840pF při 800V
Výkon - max	-
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	AG-EASY1BM-2
Základní číslo produktu	FS45MR12

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 82

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Tento produkt se již nevyrábí a po vyčerpání skladových zásob nebude znovu naskladněn.

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	2 900,06000 Kč	2 900,06 Kč
24	2 546,52375 Kč	61 116,57 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.