Name: FF6MR12W2M1HB70BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF6MR12W2M1HB70BPSA1-ND
Price: 4208.2348 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FF6MR12W2M1HB70BPSA1
Číslo produktu DigiKey	448-FF6MR12W2M1HB70BPSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	FF6MR12W2M1HB70BPSA1
Popis	LOW POWER EASY
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 150A Montáž na šasi
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FF6MR12W2M1HB70BPSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Nosič
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	150A
Rds zap (max) při Id, Vgs	8mOhm při 150A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5,15V při 60mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	446nC při 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	13200pF při 800V
Výkon - max	-
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	-

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 4

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	3 477,88000 Kč	3 477,88 Kč
15	3 153,29000 Kč	47 299,35 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.