Name: FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1-ND
Price: 4653.4664 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Číslo produktu DigiKey	448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce	10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 170A (Tj) Montáž na šasi Modul
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Nosič
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	170A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs	4mOhm při 200A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5,15V při 80mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	594nC při 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	17600pF při 800V
Výkon - max	-
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	Modul
Základní číslo produktu	FF4MR12

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 25

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	3 845,84000 Kč	3 845,84 Kč
15	3 553,59800 Kč	53 303,97 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.