Name: FF3MR12KM1HHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Price: 7954.0923 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FF3MR12KM1HHPSA1
Číslo produktu DigiKey	448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	FF3MR12KM1HHPSA1
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 190A (Tc) Montáž na šasi AG-62MMHB
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FF3MR12KM1HHPSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 4,44mOhm při 280A, 18V
Výrobce Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 5,1V při 112mA
Řada CoolSiC™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 800nC při 18V
Balení Krabice	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 24200pF při 800V
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -40°C ~ 175°C (TJ)
Technologie Karbid křemíku (SiC)	Způsob montáže Montáž na šasi
Konfigurace 2 N-kanál (polomůstkový)	Pouzdro Modul
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200V (1,2kV)	Dodávaná velikost pouzdra AG-62MMHB
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 190A (Tc)