Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 190A (Tc) Montáž na šasi AG-62MMHB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FF3MR12KM1HHPSA1

Číslo produktu DigiKey
448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
FF3MR12KM1HHPSA1
Popis
MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB
Standardní dodací lhůta výrobce
14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 190A (Tc) Montáž na šasi AG-62MMHB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FF3MR12KM1HHPSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Infineon Technologies
Řada
CoolSiC™
Balení
Krabice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
190A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
4,44mOhm při 280A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,1V při 112mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
800nC při 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
24200pF při 800V
Výkon - max
-
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na šasi
Pouzdro
Modul
Dodávaná velikost pouzdra
AG-62MMHB
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 19
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Krabice
Množství Jednotková cena Celk. cena
17 258,46000 Kč7 258,46 Kč
106 275,53100 Kč62 755,31 Kč
305 988,47933 Kč179 654,38 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:7 258,46000 Kč
Jednotková cena s DPH:8 782,73660 Kč