
FF3MR12KM1HHPSA1 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-FF3MR12KM1HHPSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | FF3MR12KM1HHPSA1 |
Popis | MOSFET 2N-CH 1200V 190A AG62MMHB |
Standardní dodací lhůta výrobce | 14 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 190A (Tc) Montáž na šasi AG-62MMHB |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | FF3MR12KM1HHPSA1 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Infineon Technologies | |
Řada | ||
Balení | Krabice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | Karbid křemíku (SiC) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (polomůstkový) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 190A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 4,44mOhm při 280A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5,1V při 112mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 800nC při 18V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 24200pF při 800V | |
Výkon - max | - | |
Provozní teplota | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na šasi | |
Pouzdro | Modul | |
Dodávaná velikost pouzdra | AG-62MMHB |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 7 182,60000 Kč | 7 182,60 Kč |
10 | 6 209,94400 Kč | 62 099,44 Kč |
30 | 5 925,89200 Kč | 177 776,76 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 7 182,60000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 8 690,94600 Kč |