Name: FF200R12KE3HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: FF200R12KE3HOSA1-ND
Price: 2981.4158 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FF200R12KE3HOSA1
Číslo produktu DigiKey	FF200R12KE3HOSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	FF200R12KE3HOSA1
Popis	IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT modul 2 nezávislé 1200 V 1050 W Montáž na šasi Modul
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Moduly IGBT
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	-
Balení	Nosič
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru IGBT	-
Konfigurace	2 nezávislé
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)	1200 V
Výkon - max	1050 W
Vce(zap) (max) při Vge, Ic	2,15V při 15V, 200A
Zbytkový proud kolektoru (max)	5 mA
Vstupní kapacita (Cies) při Vce	14 nF @ 25 V
Vstup	Standardní
Termistor NTC	Ano
Provozní teplota	-40°C ~ 125°C
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	Modul
Základní číslo produktu	FF200R12

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 10

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	2 463,98000 Kč	2 463,98 Kč
10	2 103,64300 Kč	21 036,43 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.