Name: FF200R12KE3HOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: FF200R12KE3HOSA1-ND
Price: 3422.4003 CZK
Availability: InStock

IGBT modul 2 nezávislé 1200 V 1050 W Montáž na šasi Modul

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FF200R12KE3HOSA1
Číslo produktu DigiKey	FF200R12KE3HOSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	FF200R12KE3HOSA1
Popis	IGBT MODULE 1200V 1050W MODULE
Standardní dodací lhůta výrobce	21 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	IGBT modul 2 nezávislé 1200 V 1050 W Montáž na šasi Modul
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory IGBT Moduly IGBT	Vstupní kapacita (Cies) při Vce 14 nF @ 25 V
Výrobce Infineon Technologies	Vstup Standardní
Balení Nosič	Termistor NTC Ano
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -40°C ~ 125°C
Konfigurace 2 nezávislé	Způsob montáže Montáž na šasi
Průrazné napětí kolektor - emitor (max) 1200 V	Pouzdro Modul
Výkon - max 1050 W	Dodávaná velikost pouzdra Modul
Vce(zap) (max) při Vge, Ic 2,15V při 15V, 200A	Základní číslo produktu FF200R12
Zbytkový proud kolektoru (max) 5 mA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 38

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	2 828,43000 Kč	2 828,43 Kč
10	2 237,25300 Kč	22 372,53 Kč
100	1 934,74310 Kč	193 474,31 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.