FF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FF11MR12W1M1B11BOMA1
Číslo produktu DigiKey	FF11MR12W1M1B11BOMA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	FF11MR12W1M1B11BOMA1
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 100A Montáž na šasi Modul
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™+
Balení	Nosič
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	100A
Rds zap (max) při Id, Vgs	11mOhm při 100A, 15V
Vgs(th) (max) při Id	5,55V při 40mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	250nC při 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7950pF při 800V
Výkon - max	-
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	Modul
Základní číslo produktu	FF11MR12