
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-F435MR07W1D7S8B11ABPSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 |
Popis | MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 650V 35A Montáž na šasi Modul |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Infineon Technologies | |
Řada | ||
Balení | Nosič | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 4 N-kanál (polomůstek) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 35A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 39,4mOhm při 35A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,45V při 1,74mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 141nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 6950pF při 400V | |
Výkon - max | - | |
Provozní teplota | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na šasi | |
Pouzdro | Modul | |
Dodávaná velikost pouzdra | Modul | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 1 183,66000 Kč | 1 183,66 Kč |
| 24 | 824,91500 Kč | 19 797,96 Kč |
| 120 | 789,36033 Kč | 94 723,24 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 1 183,66000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 1 432,22860 Kč |





