Name: F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Price: 2962.2252 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Číslo produktu DigiKey	448-F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Popis	MOSFET 2N-CH 1200V 85A AG-EASY2B
Standardní dodací lhůta výrobce	8 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 85A (Tj) Montáž na šasi AG-EASY2B
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	EasyPACK™
Balení	Nosič
Stav součásti	Aktivní
Technologie	Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace	2 N-kanál (polomůstkový)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	85A (Tj)
Rds zap (max) při Id, Vgs	12mOhm při 100A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	5,15V při 40mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	297nC při 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	8800pF při 800V
Výkon - max	-
Provozní teplota	-40°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na šasi
Pouzdro	Modul
Dodávaná velikost pouzdra	AG-EASY2B
Základní číslo produktu	F3L8MR12

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 20

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Nosič

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	2 448,12000 Kč	2 448,12 Kč
18	2 083,40056 Kč	37 501,21 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.