Name: BSZ42DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ42DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 45.738 CZK
Availability: InStock

BSZ42DN25NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ42DN25NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ42DN25NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ42DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ42DN25NS3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 250 V 5A (Tc) 33,8W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ42DN25NS3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	250 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	425mOhm při 2,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 13µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	5.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	430 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	33,8W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8-2
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ42DN25

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	9,74673 Kč	48 733,65 Kč
10 000	9,51472 Kč	95 147,20 Kč

Jednotková cena bez DPH:	37,80000 Kč
Jednotková cena s DPH:	45,73800 Kč

BSZ42DN25NS3GATMA1