Name: BSZ215CHXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ215CHXTMA1TR-ND
Price: 51.5823 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ215CHXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSZ215CHXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSZ215CHXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSZ215CHXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ215CHXTMA1
Popis	MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 5,1A, 3,2A 2,5W Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ215CHXTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,4V při 110µA
Výrobce Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 2,8nC při 4,5V
Řada OptiMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 419pF při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 2,5W
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Konfigurace N a P-kanál doplňkový	Kvalifikace AEC-Q101
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně, 2,5V pohon	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5,1A, 3,2A	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSDSON-8
Rds zap (max) při Id, Vgs 55mOhm při 5,1A, 4,5V	Základní číslo produktu BSZ215

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 4 949

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®