Name: BSZ215CHXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ215CHXTMA1TR-ND
Price: 47.6377 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSZ215CHXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSZ215CHXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSZ215CHXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSZ215CHXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ215CHXTMA1
Popis	MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 5,1A, 3,2A 2,5W Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ215CHXTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál doplňkový
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně, 2,5V pohon
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,1A, 3,2A
Rds zap (max) při Id, Vgs	55mOhm při 5,1A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,4V při 110µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	2,8nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	419pF při 10V
Výkon - max	2,5W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Základní číslo produktu	BSZ215

Jednotková cena bez DPH:	39,37000 Kč
Jednotková cena s DPH:	47,63770 Kč

BSZ215CHXTMA1