Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 70.3736 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ16DN25NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ16DN25NS3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 250 V 10,9A (Tc) 62,5W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ16DN25NS3GATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 32µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 11.4 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 920 pF @ 100 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 62,5W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 250 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSDSON-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 10,9A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu BSZ16DN25
Rds zap (max) při Id, Vgs 165mOhm při 5,5A, 10V