Name: BSZ16DN25NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND
Price: 59.2295 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

BSZ16DN25NS3GATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ16DN25NS3GATMA1
Popis	MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 250 V 10,9A (Tc) 62,5W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ16DN25NS3GATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	250 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10,9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	165mOhm při 5,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 32µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	920 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	62,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ16DN25

Jednotková cena bez DPH:	48,95000 Kč
Jednotková cena s DPH:	59,22950 Kč

BSZ16DN25NS3GATMA1