PG-TSDSON-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ16DN25NS3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSZ16DN25NS3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSZ16DN25NS3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSZ16DN25NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSZ16DN25NS3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 250 V 10,9A (Tc) 62,5W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSZ16DN25NS3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
250 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
10,9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
165mOhm při 5,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 32µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
11.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
920 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
62,5W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TSDSON-8
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
BSZ16DN25
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 404
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
154,52000 Kč54,52 Kč
1035,17500 Kč351,75 Kč
10024,10010 Kč2 410,01 Kč
50019,36516 Kč9 682,58 Kč
1 00019,32390 Kč19 323,90 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 00015,78750 Kč78 937,50 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:54,52000 Kč
Jednotková cena s DPH:65,96920 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
7 Položky
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,79000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

22,73000 Kč
6EDL04N06PTXUMA1

6EDL04N06PTXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

69,25000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

18,95000 Kč
2ED2101S06FXUMA1

2ED2101S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

25,05000 Kč
2ED2106S06FXUMA1

2ED2106S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

25,05000 Kč
2EDS8165HXUMA1

2EDS8165HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

47,36000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1

MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON

Infineon Technologies

38,73000 Kč
BSZ017NE2LS5IATMA1

BSZ017NE2LS5IATMA1

MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON

Infineon Technologies

39,15000 Kč
BSZ146N10LS5ATMA1

BSZ146N10LS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 44A TSDSON

Infineon Technologies

40,42000 Kč
IPT60R028G7XTMA1

IPT60R028G7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF

Infineon Technologies

295,96000 Kč
BSZ110N08NS5ATMA1

BSZ110N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON

Infineon Technologies

34,94000 Kč
BSZ100N06NSATMA1

BSZ100N06NSATMA1

MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON

Infineon Technologies

28,42000 Kč
BSZ075N08NS5ATMA1

BSZ075N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

Infineon Technologies

45,68000 Kč
BSZ42DN25NS3GATMA1

BSZ42DN25NS3GATMA1

MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8

Infineon Technologies

37,89000 Kč
BSC600N25NS3GATMA1

BSC600N25NS3GATMA1

MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1

Infineon Technologies

85,88000 Kč
BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON

Infineon Technologies

43,57000 Kč