BSZ0909NDXTMA1 Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

BSZ0909NDXTMA1
cms-digikey-product-number	BSZ0909NDXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	BSZ0909NDXTMA1
cms-description	MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 30V 20A (Tc) 17W Montáž na povrch PG-WISON-8
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně, 4,5V pohon
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	18mOhm při 9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	2,6nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	360pF při 15V
Výkon - max	17W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerVDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PG-WISON-8
Základní číslo produktu	BSZ0909