Name: BSZ0904NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ0904NSIATMA1TR-ND
Price: 27.6969 CZK
Availability: InStock

BSZ0904NSIATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ0904NSIATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ0904NSIATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ0904NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ0904NSIATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 37W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ0904NSIATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	18A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4mOhm při 30A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1463 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	Schottkyho dioda (těleso)
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 37W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8-FL
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ0904

Jednotková cena bez DPH:	22,89000 Kč
Jednotková cena s DPH:	27,69690 Kč

BSZ0904NSIATMA1