Name: BSZ068N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ068N06NSATMA1TR-ND
Price: 35.0658 CZK
Availability: OutOfStock

BSZ068N06NSATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ068N06NSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ068N06NSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ068N06NSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ068N06NSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 40A (Tc) 2,1W (Ta), 46W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ068N06NSATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,8mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,3V při 20µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1500 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 46W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8-FL
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ068

Jednotková cena bez DPH:	28,98000 Kč
Jednotková cena s DPH:	35,06580 Kč

BSZ068N06NSATMA1