Name: BSZ050N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ050N03MSGATMA1TR-ND
Price: 24.9018 CZK
Availability: InStock

BSZ050N03MSGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ050N03MSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ050N03MSGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ050N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ050N03MSGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 48W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ050N03MSGATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,5mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3600 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 48W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	BSZ050

Jednotková cena bez DPH:	20,58000 Kč
Jednotková cena s DPH:	24,90180 Kč

BSZ050N03MSGATMA1