Name: BSZ050N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ050N03LSGATMA1TR-ND
Price: 27.4428 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ050N03LSGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ050N03LSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ050N03LSGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ050N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ050N03LSGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 16A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 50W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 35 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2800 pF @ 15 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,1W (Ta), 50W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSDSON-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 16A (Ta), 40A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu BSZ050
Rds zap (max) při Id, Vgs 5mOhm při 20A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 5 763

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)