BSZ035N03LSGATMA1 Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

BSZ035N03LSGATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Direct

onsemi

Skladem : 4 884

Jednotková cena : 53,96000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ035N03LSGATMA1
Číslo produktu DigiKey	BSZ035N03LSGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSZ035N03LSGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSZ035N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ035N03LSGATMA1
Popis	MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8TSDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 20A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ035N03LSGATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,2V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 56 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4400 pF @ 15 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSDSON-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 20A (Ta), 40A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu BSZ035
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,5mOhm při 20A, 10V