Name: BSZ028N04LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ028N04LSATMA1TR-ND
Price: 47.5167 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ028N04LSATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSZ028N04LSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSZ028N04LSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSZ028N04LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ028N04LSATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 63W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ028N04LSATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 2,8mOhm při 20A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 32 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2300 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,1W (Ta), 63W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSDSON-8-FL
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 21A (Ta), 40A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu BSZ028

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 5 045

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®