Name: BSZ021N04LS6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ021N04LS6ATMA1TR-ND
Price: 34.0494 CZK
Availability: InStock

BSZ021N04LS6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSZ021N04LS6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSZ021N04LS6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSZ021N04LS6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ021N04LS6ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-34
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ021N04LS6ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	25A (Ta), 40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,1mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2700 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8-34
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	BSZ021

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
5 000	16,67401 Kč	83 370,05 Kč
10 000	16,05274 Kč	160 527,40 Kč

Jednotková cena bez DPH:	28,14000 Kč
Jednotková cena s DPH:	34,04940 Kč

BSZ021N04LS6ATMA1