Name: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND
Price: 76.472 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSZ014NE2LS5IFATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSZ014NE2LS5IFATMA1
Popis	MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 31A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSZ014NE2LS5IFATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 33 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±16V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2300 pF @ 12 V
Stav součásti Aktivní	Funkce tranzistoru FET Schottkyho dioda (těleso)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,1W (Ta), 69W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 25 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 31A (Ta), 40A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSDSON-8-FL
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 1,45mOhm při 20A, 10V	Základní číslo produktu BSZ014