PG-SOT223-4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PG-SOT223-4
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

BSP171PH6327XTSA1

Číslo produktu DigiKey
BSP171PH6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSP171PH6327XTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSP171PH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSP171PH6327XTSA1
Popis
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Standardní dodací lhůta výrobce
10 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 60 V 1,9A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSP171PH6327XTSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
SIPMOS®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
P-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
1,9A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
300mOhm při 1,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 460µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
460 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
1,8W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-SOT223-4
Pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu
BSP171
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 11 984
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
124,00000 Kč24,00 Kč
1015,05100 Kč150,51 Kč
1009,88090 Kč988,09 Kč
5007,65756 Kč3 828,78 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 0006,94145 Kč6 941,45 Kč
2 0006,33868 Kč12 677,36 Kč
3 0006,03153 Kč18 094,59 Kč
5 0005,68628 Kč28 431,40 Kč
7 0005,48184 Kč38 372,88 Kč
10 0005,28315 Kč52 831,50 Kč
25 0005,07831 Kč126 957,75 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:24,00000 Kč
Jednotková cena s DPH:29,04000 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
AUIR2085STR

AUIR2085STR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

81,67000 Kč
TLE9180D31QKXUMA1

TLE9180D31QKXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP

Infineon Technologies

135,35000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
BSP613PH6327XTSA1

BSP613PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4

Infineon Technologies

37,68000 Kč
BSP322PH6327XTSA1

BSP322PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

Infineon Technologies

23,37000 Kč
BSP315PH6327XTSA1

BSP315PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4

Infineon Technologies

20,84000 Kč
SSM6H19NU,LF

SSM6H19NU,LF

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

Toshiba Semiconductor and Storage

10,53000 Kč
BLM18KG601SN1D

BLM18KG601SN1D

FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

Murata Electronics

2,11000 Kč
MBRA140T3G

MBRA140T3G

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA

onsemi

8,21000 Kč
1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

DIODE STANDARD 75V 150MA SOD323

Diodes Incorporated

2,11000 Kč
IRLL014NTRPBF

IRLL014NTRPBF

MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

Infineon Technologies

17,26000 Kč
2SK3019TL

2SK3019TL

MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3

Rohm Semiconductor

6,74000 Kč
DMP6250SE-13

DMP6250SE-13

MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223

Diodes Incorporated

23,58000 Kč