Name: BSP170PH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP170PH6327XTSA1TR-ND
Price: 30.7461 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSP170PH6327XTSA1
Číslo produktu DigiKey	BSP170PH6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSP170PH6327XTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSP170PH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSP170PH6327XTSA1
Popis	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 1,9A (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSP170PH6327XTSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 14 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada SIPMOS®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 410 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 1,8W (Ta)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,9A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra PG-SOT223-4
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Rds zap (max) při Id, Vgs 300mOhm při 1,9A, 10V	Základní číslo produktu BSP170
Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 8 820

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)