Name: BSP125H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP125H6327XTSA1TR-ND
Price: 27.4428 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSP125H6327XTSA1
Číslo produktu DigiKey	BSP125H6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) BSP125H6327XTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) BSP125H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	BSP125H6327XTSA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 120mA (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BSP125H6327XTSA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6.6 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada SIPMOS®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 150 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 1,8W (Ta)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 120mA (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra PG-SOT223-4
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Rds zap (max) při Id, Vgs 45Ohm při 120mA, 10V	Základní číslo produktu BSP125
Vgs(th) (max) při Id 2,3V při 94µA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 6 776

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)